Transistorer

C (i): 1220pF. Omkostninger): 220pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 11.8A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. On-resistance Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 20 ns. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 830pF. Omkostninger): 195pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 208 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 76A. ID (T=100°C): 12.1A. ID (T=25°C): 19A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 43W. On-resistance Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 135 ns. Td(on): 15 ns. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Vgs (th) maks.: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Teknologi: N-kanal MOSFET transistor (DMOS, QFET). Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 480pF. Omkostninger): 175pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 54 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 62.8A. ID (T=100°C): 11.1A. ID (T=25°C): 15.7A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 0.042 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 35 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 17nC, lav Crss 5,6pF. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 543pF. Omkostninger): 54pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 642 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.9A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 39W. On-resistance Rds On: 4 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 22.5 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 13nC, lav Crss 5,5pF. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 740pF. Omkostninger): 65pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.3A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 47W. On-resistance Rds On: 3.5 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 17nC, lav Crss 5,6pF. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 480pF. Omkostninger): 80pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 263 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 2.9A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. On-resistance Rds On: 1.14 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 12 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 18nC, lav Crss 15pF. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 515pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 18A. ID (T=100°C): 2.6A. ID (T=25°C): 4.5A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. On-resistance Rds On: 2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 46 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 15nC, lav Crss 6,5pF. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1290pF. Omkostninger): 120pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 26.4A. ID (T=100°C): 4.2A. ID (T=25°C): 6.6A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 56W. On-resistance Rds On: 1.57 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 50 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Spec info: Lav portladning (typisk 40nC), Lav Crss 10pF. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3170pF. Omkostninger): 1150pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 53A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. On-resistance Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: DMOS, QFET MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: Hurtig kontakt, lav portopladning 17nC, lav Crss 5,6pF. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: ITO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FQPF8N60C. Drain-source spænding Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.6A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ 3.75A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 45 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 170 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1255pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 48W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 81 ns. Td(on): 16.5 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 2V. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Hus (JEDEC-standard): 1

C (i): 1580pF. Omkostninger): 135pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 690 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Fast switch, Low gate charge 35nC, Low Crss 13pF. Produktionsdato: 201432. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.1A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 59W. On-resistance Rds On: 1.29 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 790pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.4A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 44W. On-resistance Rds On: 0.7 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 93 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: +55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig switch, lav portopladning 28nC, lav Crss 24pF. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2100pF. Omkostninger): 175pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 550 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 2.8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 68W. On-resistance Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 100 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Hurtig switch, lav portopladning 40nC, lav Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 130pF. Omkostninger): 19pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 25uA. Mærkning på kabinettet: FQT1N60C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.1W. On-resistance Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 13 ns. Td(on): 7 ns. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 4. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 240pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 90 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 3.4A. ID (T=100°C): 0.55A. ID (T=25°C): 0.85A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.2W. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 15 ns. Td(on): 7 ns. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 200V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 2V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 36pF. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 420pF. Omkostninger): 195pF. Kanaltype: P. Trr-diode (min.): 83 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. ID (T=100°C): 5.95A. ID (T=25°C): 9.4A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Teknologi: DMOS POWER-MOSFET. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 480pF. Omkostninger): 175pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 54 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 68.8A. ID (T=100°C): 10.9A. ID (T=25°C): 17.2A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. On-resistance Rds On: 0.046 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 35 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: QFET, Enhancement mode power MOSFET. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: lav portopladning (type 9.5nC). GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1500pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): na. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 130 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 600V. Antal terminaler: 3. Funktion: Ifsm--30App. Mængde pr tilfælde: 1

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Spænding Vds (maks.): 250V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Højhastighedsskift

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 12A. Idss (maks.): 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. On-resistance Rds On: 0.32 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 250V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Højhastighedsskift

C (i): 5300pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 100A. Ic (puls): 150A. Ic(T=100°C): 75A. Mærkning på kabinettet: FS75R12KE3G. Dimensioner: 122x62x17.5mm. Pd (Strømafledning, maks.) ): 355W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 42us. Td(on): 26us. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.65V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. Funktion: ICRM 150A Tp=1ms. Antal terminaler: 35. bemærk: 6x IGBT+ CE Diode. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 1380pF. Omkostninger): 140pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH-SPEED SW.. Id(imp): 21A. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 1mA. IDss (min): 10uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 1.54 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 180 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FN. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

C (i): 74pF. Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 1790A. Ic (puls): 2400A. Ic(T=100°C): 1200A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 7150W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 0.92 ns. Td(on): 0.41 ns. Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): Andre. Driftstemperatur: -40...+125°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Tærskelspænding Vf (maks.): 2.35V. Fremadspænding Vf (min): 1.8V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.8V. Antal terminaler: 7. Funktion: ICRM--Tp=1mS 2400A. Spec info: VCE(sat) 1.7V (Ic=1200A, VGE=15V, 25°C). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: FZT458. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 400V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 0.3A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C