Transistorer

Kanaltype: N-P. Funktion: Ic 70A @ 25°C, 40A @ 110°C, Icm 330A (pulsed). Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 290W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 170 ns. Td(on): 47 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

Kanaltype: N. Kollektorstrøm: 25A. Ic (puls): 40A. Ic(T=100°C): 10A. Mærkning på kabinettet: 5N120BND. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 167W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 182 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: NPT serie IGBT transistor med anti-parallel hyperhurtig diode. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 2.45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 3.7V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 6V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.8V. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HA, hi-def. bemærk: 0.2. Spec info: MONITOR

Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: HA, hi-def. bemærk: 0.2. Spec info: MONITOR. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Max hFE-forstærkning: 47. Minimum hFE-forstærkning: 29. Kollektorstrøm: 7A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -50...+150°C. vcbo: 450V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 10V. Spec info: Epitaksial plan transistor

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 160...320. Kollektorstrøm: 0.1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126ML. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) HSB1109

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 160...320. Kollektorstrøm: 3A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Spec info: IKKE-isoleret hus. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

C (i): 250pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 75307D. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 35 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 250pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 75307D. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 35 ns. Td(on): 7 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3200pF. Omkostninger): 1170pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Skiftende regulator. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 75344 G. Pd (Strømafledning, maks.) ): 285W. On-resistance Rds On: 6.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 46 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3200pF. Omkostninger): 1170pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 105 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 75344 P. Pd (Strømafledning, maks.) ): 285W. On-resistance Rds On: 0.065 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 46 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3790pF. Omkostninger): 810pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 145 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 75645 P. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. On-resistance Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 41 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3790pF. Omkostninger): 810pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 145 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: UltraFET Power MOSFET. Id(imp): 430A. ID (T=100°C): 65A. ID (T=25°C): 75A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 75645 S. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. On-resistance Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 41 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-252AB ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 850pF. Omkostninger): 465pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 58 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Portstyring efter logisk niveau. ID (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 250uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 76121D. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. On-resistance Rds On: 0.017 Ohms. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 45 ns. Td(on): 6 ns. Teknologi: UltraFET Power MOSFET. Hus: D2PAK ( TO-263 ). Hus (i henhold til datablad): D2PAK ( TO-252AA ). Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 3V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 2. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: NINCS. Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: HUF76145P3. Drain-source spænding Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ 75A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 110 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 135 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 4900pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 270W. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrøm: 15A. bemærk: trefaset AC motor driver. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (Strømafledning, maks.) ): 29W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 750 ns. Td(on): 600 ns. Teknologi: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

Kanaltype: N. Funktion: 6 x IGBT For Power Management. Kollektorstrøm: 20A. bemærk: trefaset AC motor driver. Frekvens: 20kHz. Antal terminaler: 24. Pd (Strømafledning, maks.) ): 29W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 650 ns. Td(on): 970 ns. Teknologi: Control Integrated POwer System (CIPOS™). Hus: Andre. Hus (i henhold til datablad): PG-MDIP-24-1 ( 36x23mm ). Driftstemperatur: -40...+100°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Spec info: IC=20A TC=25°C, IC=15A TC=80°C. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: IGBT transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: G03H1202. Kollektor-emitterspænding Uce [V]: 1.2 kV. Indkoblingstid ton [nsec.]: 9.2 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 281 ns. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 3.9V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 62.5W. Maksimal kollektorstrøm (A): 9.9A. driftstemperaturområde min (°C): -40°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Type transistor: IGBT transistor. Drænkildespænding: 1200V. Kollektorstrøm: 50A. Effekt: 326W. Hus: TO-247AC

C (i): 4620pF. Omkostninger): 240pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 25. Funktion: Meget lav VCEsat. Kollektorstrøm: 140A. Ic (puls): 225A. Ic(T=100°C): 75A. Mærkning på kabinettet: G75H603. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 428W. RoHS: ja . Leveringstid: KB. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 265 ns. Td(on): 31 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 ( AC ). Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.25V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 600V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 5.7V. Spec info: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. CE-diode: NINCS. Germanium diode: NINCS

C (i): 1165pF. Omkostninger): 40pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): 45A. Ic(T=100°C): 15A. Mærkning på kabinettet: H15R1203. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 254W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 300 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.48V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.75V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 1340pF. Omkostninger): 43pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Trr-diode (min.): 90 ns. Funktion: Powerful monolithic body diode with low forward voltage. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Mærkning på kabinettet: H20MR5. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 288W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 350 ns. Td(on): 260 ns. Teknologi: TRENCHSTOP TM technology. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): PG-TO247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.55V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.75V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 1500pF. Omkostninger): 55pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Funktion: Inductive?cooking. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Mærkning på kabinettet: H20R1353. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 310W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 405 ns. Td(on): 335 ns. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1350V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 1360pF. Omkostninger): 43pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Trr-diode (min.): 50 ns. Funktion: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Mærkning på kabinettet: H20PR5. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 288W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 235 ns. Teknologi: TRENCHSTOP TM technology. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): PG-TO247-3. Driftstemperatur: -40...+175°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.65V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1350V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5.1V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.4V. Spec info: Ic 40A @ 25°C, 20A @ 110°C, Icm 60A (pulsed). CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

C (i): 1460pF. Omkostninger): 78pF. Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Funktion: Soft Switching Applications. Kollektorstrøm: 40A. Ic (puls): 60A. Ic(T=100°C): 20A. Mærkning på kabinettet: H20T120. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 178W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 560 ns. Td(on): 50 ns. Teknologi: Trench and Fieldstop teknologi IGBT transistor. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247AC. Driftstemperatur: -40...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.7V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1200V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 5V. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6.5V. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS