Transistorer

Kanaltype: N. Type transistor: FET. Funktion: Up 10V. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. On-resistance Rds On: 30 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Spænding Vds (maks.): 35V. Port/kildespænding (fra) max.: 10V. Port/kildespænding (fra) min.: 3V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 28pF. Omkostninger): 5pF. Kanaltype: N. Type transistor: FET. Funktion: Up 4.5V. Idss (maks.): 5mA. IGF: 50mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 Ammo-Pak. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 35V. Port/kildespænding (fra) max.: 5V. Port/kildespænding (fra) min.: 1V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 28pF. Omkostninger): 5pF. Kanaltype: N. Type transistor: FET. IDss (min): 0.2mA. IGF: 50mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. On-resistance Rds On: 100 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 35V. Gate / kilde spænding Vgs: 35V. Port/kildespænding (fra) max.: 3V. Port/kildespænding (fra) min.: 0.5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: VGS(off) min 0.5V, max 3V. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: P. Type transistor: FET. Funktion: P-Channel Switch. Idss (maks.): 100mA. IDss (min): 20mA. IGF: 50mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. On-resistance Rds On: 85 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: P-Channel Switch. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Port/kildespænding (fra) max.: 10V. Port/kildespænding (fra) min.: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: NINCS. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: J175. Drain-source spænding Uds [V]: -30V. Drænstrøm Idss [A] @ Ug=0V: -50mA. Gate-source breakpoint spænding Ugss [V] @ Uds=0V: +6V @ -15V. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. Komponentfamilie: P-kanal JFET transistor. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: P. Type transistor: JFET. Idss (maks.): 25mA. IDss (min): 2mA. IGF: 50mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. On-resistance Rds On: 250 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: P-Channel Switch. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 30 v. Port/kildespænding (fra) max.: 4 v. Port/kildespænding (fra) min.: 1V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: VGS(off) 1V...4V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 35...125. Kollektorstrøm: 500mA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-5. Hus (i henhold til datablad): TO-5. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 75V. Spec info: Lo-Pwr BJT

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: TO-92M

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Kollektorstrøm: 0.2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Spec info: KSA642-O

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Kollektorstrøm: 0.15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: 9mm. Kollektorstrøm: 2A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. vcbo: 30 v. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: NF/S. Kollektorstrøm: 0.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Spec info: 9 mm højde. CE-diode: ja

Omkostninger): 55pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: TV-HA. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. vcbo: 150V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSC2073. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 2pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 300. Kollektorstrøm: 50mA. Mærkning på kabinettet: A992. Ækvivalenter: 2SC992. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 3L (AMMO). Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSC1845. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 9 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 150. Kollektorstrøm: 3A. Mærkning på kabinettet: B1366-G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon PNP Triple Diffused Type. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) KSD2012. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 110 MHz. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Spec info: SAMSUNG. CE-diode: ja

Omkostninger): 2.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 0.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Type transistor: NPN. vcbo: 160V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: Farve TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 200mA. Mærkning på kabinettet: C1507 O. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-diode: ja

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: Farve TV Chroma Output (VID-L). Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 200mA. Mærkning på kabinettet: C1507 Y. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 7V. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. CE-diode: ja

Omkostninger): 1.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 110 MHz. Funktion: HI-FI lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 600. Minimum hFE-forstærkning: 300. Kollektorstrøm: 50mA. Mærkning på kabinettet: C1845. Ækvivalenter: 2SC1845. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 3L (AMMO). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.07V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSA992. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Kollektorstrøm: 0.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.6W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. CE-diode: ja

Omkostninger): 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: TV lodret afbøjningsudgang. Max hFE-forstærkning: 125. Minimum hFE-forstærkning: 60. Kollektorstrøm: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSA940. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: TV lodret afbøjningsudgang. Max hFE-forstærkning: 125. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 1.5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 150V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSA940. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS