Transistorer

Omkostninger): 8pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 600mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 285 ns. tf (min): 35 ns. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 75V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 300. Minimum hFE-forstærkning: 75. Kollektorstrøm: 0.6A. bemærk: pinout E, C, B. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 5V

Omkostninger): 6pF. Konditioneringsenhed: 2000. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: Højspændingstransistor. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 500mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PNP epitaksial siliciumtransistor. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Type transistor: PNP. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SW. Kollektorstrøm: 100mA. Mærkning på kabinettet: R1002. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V

Modstand B: 22k Ohms. BE-modstand: 22k Ohms. Omkostninger): 100pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: SW. Kollektorstrøm: 0.1A. Mærkning på kabinettet: R1003. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: +55...+150°C. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SW. Kollektorstrøm: 100mA. Mærkning på kabinettet: R1007. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Kollektorstrøm: 0.1A. bemærk: 0.3W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Kollektorstrøm: 0.1A. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: 0504-000142. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: SW. Kollektorstrøm: 0.1A. Antal terminaler: 3. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: 47. BE-modstand: 47. Omkostninger): 2.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: S. Kollektorstrøm: 0.1A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Spec info: 12159-301-810. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: 10. BE-modstand: 10. Omkostninger): 3.7pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 0.15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V

Omkostninger): 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Kollektorstrøm: 1.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan PNP-transistor . Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Type transistor: PNP. vcbo: 30 v. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 280pF. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: Højeffekt lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 55. Kollektorstrøm: 10A. Mærkning på kabinettet: B778. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( H ) IS. Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KTD998. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 0.8pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Antal terminaler: 3. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 800 MHz. Funktion: FM-V/M/O. Max hFE-forstærkning: 198. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 20mA. Mærkning på kabinettet: 15.8k Ohms. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 40V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: hFE 20...90. Kollektorstrøm: 3A. bemærk: T32. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 0.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 11 MHz. Funktion: S-L. Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. vcbo: 210V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kanaltype: N. Konditioneringsenhed: 30. Kollektorstrøm: 100A. Ic (puls): 180A. Ic(T=100°C): 60A. Mærkning på kabinettet: 60T65PES. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 535W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 142ns. Td(on): 45 ns. Teknologi: High Speed Fieldstop Trench IGBT, Second Generation. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Mætningsspænding VCE (sat): 1.85V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.4V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 650V. Port/emitter spænding VGE: 20V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 4 v. Port/emitterspænding VGE(th)max.: 6V. CE-diode: ja . Germanium diode: NINCS

Kanaltype: N. Type transistor: FET. Funktion: 0505-111646. ID (T=25°C): 1.4A. Idss (maks.): 1.4A. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: SMD 5p.. Spænding Vds (maks.): 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: serigrafi/SMD-kode QU

Omkostninger): 1pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingstransistor til Standard Definition CRT. Max hFE-forstærkning: 8.5. Minimum hFE-forstærkning: 5.5. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 57W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.2us. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 0.55pF. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højspændingstransistor til Standard Definition CRT. Max hFE-forstærkning: 7.5. Minimum hFE-forstærkning: 5.5. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 57W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.25us. tf (min): 0.25us. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Vebo: 10V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 4pF. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-forstærkning: 7. Minimum hFE-forstærkning: 4.5. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 18A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 58W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 2.6us. tf (min): 0.2us. Hus: ISOWATT218FX. Hus (i henhold til datablad): TO-218-FX. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS