Transistorer

Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 70. Kollektorstrøm: 0.05A. Mærkning på kabinettet: C2310 O. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92L (9mm magas). Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 3.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 0.05A. Mærkning på kabinettet: C2310 Y. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92L (9mm magas). Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: 10. BE-modstand: 10. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Kollektorstrøm: 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: 10. BE-modstand: 10. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: 0501-000367. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Spec info: 9 mm højde. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 60pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: hFE 120...240. Kollektorstrøm: 0.7A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Type transistor: NPN. vcbo: 80V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V

Omkostninger): 60pF. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 20. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 10A. Mærkning på kabinettet: KSC5027 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. vcbo: 1100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 60pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 3A. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.5us. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: 0...+150°C. vcbo: 1100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-modstand: 10. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Dyn Focus. Kollektorstrøm: 0.1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 4W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 900V. Spec info: HV switch. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-modstand: 10. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: Højopløsning . Kollektorstrøm: 8A. bemærk: MONITOR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

BE-modstand: 10. Konditioneringsenhed: 30. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: High Switching 0.1us. Max hFE-forstærkning: 22. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 7A. Ic (puls): 16A. Mærkning på kabinettet: C5386. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Tredobbelt diffuseret plan siliciumtransistor . tf (maks.): 0.2us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 4.2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: VEBO 6V. Hus: TO-3PF (SOT399). BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

Omkostninger): 80pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: Monitor 68KHz. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 90pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Kollektorstrøm: 10A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: CRT-HA (F). Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 24A. Mærkning på kabinettet: C5803. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 0.1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 12pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Kollektorstrøm: 0.03A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Spec info: 12149301860. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: FM-V/M/O/IF. Kollektorstrøm: 0.03A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Spec info: 62137301900

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Kollektorstrøm: 0.05A. bemærk: hFE 350...700. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Spec info: 0501-000394

pinout: 1. C (i): 1.5pF. Omkostninger): 11pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Kollektorstrøm: 150mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSA733. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

pinout: 1. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Kollektorstrøm: 150mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: NPN. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) KSA733. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 35pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 150. Kollektorstrøm: 3A. Mærkning på kabinettet: D2012-G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Silicon NPN Triple Diffused Type. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) KSB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Kollektorstrøm: 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-3PML. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Funktion: Højspændingsfarveskærm vandret afbøjning . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.3us. tf (min): 1us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 800V. Vebo: 6V. Spec info: 0.1...0.3us. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Spec info: 12149-401-070

Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Kollektorstrøm: 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Spec info: SD882-Y

Omkostninger): 180pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Funktion: Højspændingsafbrydertilstand . Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 8:1. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 24A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.7us. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Vebo: 9V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 4A. bemærk: b>750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Spec info: 0503-000001