Antal (Sæt med 10) | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 10.21kr | 12.76kr |
2 - 2 | 9.70kr | 12.13kr |
3 - 4 | 9.19kr | 11.49kr |
5 - 9 | 8.98kr | 11.23kr |
10 - 24 | 8.68kr | 10.85kr |
25 - 49 | 8.37kr | 10.46kr |
50 - 297 | 6.88kr | 8.60kr |
Antal (Sæt med 10) | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 10.21kr | 12.76kr |
2 - 2 | 9.70kr | 12.13kr |
3 - 4 | 9.19kr | 11.49kr |
5 - 9 | 8.98kr | 11.23kr |
10 - 24 | 8.68kr | 10.85kr |
25 - 49 | 8.37kr | 10.46kr |
50 - 297 | 6.88kr | 8.60kr |
N-kanal transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V - BSS123-ONS. N-kanal transistor, 170mA, 46.4k Ohms, 6 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. ID (T=25°C): 170mA. Idss (maks.): 46.4k Ohms. On-resistance Rds On: 6 Ohms. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spænding Vds (maks.): 100V. C (i): 20pF. Omkostninger): 9pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: serigrafi/SMD-kode SA. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 680mA. IDss (min): 10uA. Mærkning på kabinettet: SA. Ækvivalenter: BSS123-7-F. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 225mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Td(fra): 40 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: Field Effect Transistor Logic Level Enhancement Mode. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Port/kildespænding (fra) max.: 2.6V. Vgs (th) min.: 1.6V. Originalt produkt fra producenten ON Semiconductor. Antal på lager opdateret den 08/06/2025, 10:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.