PNP bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: DB. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.1W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Kollektorstrøm: 0.03A. Hus: SOT-39. Hus (i henhold til datablad): SOT-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Halvledermateriale: silicium . FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Omkostninger): 1.6pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 1W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: serigrafi/SMD-kode 1W. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 20V, 25mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor. Funktion: UHF-V. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V, SOT-37. Kollektorstrøm: 30mA. Hus: TO-50. Hus (i henhold til datablad): TO-50. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Hus: SOT-37. Halvledermateriale: silicium . FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.15W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 30mA, 20V. Kollektorstrøm: 30mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BFN37. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 12V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: X1p. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-modstand: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: høj jævnstrøm, relædrivere, lampedrivere. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.25W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BSP50. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BSP62. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Spec info: serigrafi/CMS-kode T8. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor. Funktion: VHR758 EV. Mængde pr tilfælde: 1. CE-diode: ja

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 70V. Spec info: komplementær transistor (par) CSD1133

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 80V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Max hFE-forstærkning: 60. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 20A. Ækvivalenter: Fairchild--D45H11TU, KSE45H11TU, ON Semi. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 100 ns. tf (min): 100 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: par D44H11. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D45H11G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 30 v. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 70. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: NINCS. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 30 v. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 60V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: D45H8G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 40 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, -80V, -15A, TO–220AB. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -15A. Hus: TO–220AB. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 83W

NPN transistor, 50mA, SOT-416 ( 1.6x0.8mm ), 50V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus (i henhold til datablad): SOT-416 ( 1.6x0.8mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 14

NPN transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( 2.9x1.6mm ), 50V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( 2.9x1.6mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Digital transistor (indbygget bias modstand). Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 14. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 14

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: Digitale transistorer (indbyggede modstande). Mærkning på kabinettet: 15. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Spec info: serigrafi/SMD-kode 15. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 0.1A, SC-72, SC-72 ( D143 ), 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SC-72. Hus (i henhold til datablad): SC-72 ( D143 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Type transistor: PNP

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 4.7k Ohms. BE-modstand: 47k Ohms. Omkostninger): 3pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: PNP-modstandsudstyret transistor. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 10V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 19. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Halvledermateriale: silicium . FT: 190 MHz. Funktion: Skiftende transistor. Max hFE-forstærkning: 480. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) FMMT619. Spec info: serigrafi/SMD-kode 720