PNP bipolære transistorer

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 450 MHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 100mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 830mW. Spec info: komplementær transistor (par) BF420. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 100A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BF422. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: NPN-transistor . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BF450. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 350 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Spec info: feedback capacitance--0.45pF. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: HF- og IF-trin i radiomodtagere. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN transistor, 0.03A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Kollektorstrøm: 0.03A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Spec info: komplementær transistor (par) BF471. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrøm: 50mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Type transistor: PNP

NPN transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrøm: 50mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VHF/UHF-V. Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 350V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V

NPN transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 30mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minimum hFE-forstærkning: 25. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 35V. Vebo: 4 v

NPN transistor, TO-92, TO-92. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Mængde pr tilfælde: 1. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

NPN transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 700 MHz. Funktion: VHF oscillator. Minimum hFE-forstærkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Vebo: 4 v

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, TO-243, 250V, 50mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: DB. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 60 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.1W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.03A, SOT-39, SOT-39, 40V. Kollektorstrøm: 0.03A. Hus: SOT-39. Hus (i henhold til datablad): SOT-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: 1W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 20V, 25mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: UHF-V

NPN transistor, 30mA, TO-50, TO-50, 40V. Kollektorstrøm: 30mA. Hus: TO-50. Hus (i henhold til datablad): TO-50. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 900 MHz. Funktion: UHF-M/O. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.15W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 30mA, 20V. Kollektorstrøm: 30mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: UHF-V. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 250V, 200mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 250V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BFN37. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 12V, 35mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 12V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 35mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: Højfrekvent PNP -transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: X1p. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 5GHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 150 Ohms. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: høj jævnstrøm, relædrivere, lampedrivere. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 2A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.25W. Spec info: komplementær transistor (par) BSP50. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BSP62. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 200 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: hFE 50...300. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Spec info: serigrafi/CMS-kode T8. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 60V