PNP bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-93. Hus (JEDEC-standard): SOT-93. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW84D. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Antal terminaler: 3. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDW83D

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW94C. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Antal terminaler: 3. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: komplementær transistor (par) BDW93C. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. Funktion: komplementær transistor (par) BDW93CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Modstand B: 10k Ohms. BE-modstand: 150 Ohms. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Max hFE-forstærkning: 750. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. C (i): ja . Omkostninger): -100V. Antal terminaler: 3. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: komplementær transistor (par) BDX33C. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 100V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDX34CG. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Produktionsdato: 2014/32. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Komplementære Darlington-transistorer. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Modstand B: Darlington Power Transistor. BE-modstand: Darlington transistor. C (i): -100V. Omkostninger): -8A. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. bemærk: komplementær transistor (par) BDX53C. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: lydforstærker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-modstand: R1 typ. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Komplementære Darlington-transistorer. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDX53F. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Funktion: hFE 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDX67C

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Funktion: hFE 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDX67C

NPN transistor, 4A, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . FT: 450 MHz. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 300V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 100mA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 830mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 300V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BF420. CE-diode: ja

NPN transistor, 0.05A, TO-92, TO-92, 250V. Kollektorstrøm: 0.05A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: VIDEO forstærker.. Minimum hFE-forstærkning: 50. Ic (puls): 100A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.83W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 250V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BF422

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 40V, 25mA, TO-92 ( SOT-54 ), 40V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BF450. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 350 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: NPN-transistor . Spec info: feedback capacitance--0.45pF

NPN transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: HF- og IF-trin i radiomodtagere. Max hFE-forstærkning: 90. Minimum hFE-forstærkning: 30. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.03A, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 0.03A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 300V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BF471

NPN transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrøm: 50mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 50mA, 30 v. Kollektorstrøm: 50mA. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . Funktion: VHF/UHF-V. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, -250V, -0.5A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -250V. Kollektorstrøm: -0.5A. Hus: TO-92. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.8W

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 350V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Omkostninger): 1.6pF. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 350V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 6V. Mængde pr tilfælde: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 30mA, TO-92, TO-92, 40V. Kollektorstrøm: 30mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Halvledermateriale: silicium . FT: 550 MHz. Funktion: VHF-V. Minimum hFE-forstærkning: 25. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 35V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, TO-92, TO-92. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 25mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 25mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Halvledermateriale: silicium . FT: 700 MHz. Funktion: VHF oscillator. Minimum hFE-forstærkning: 30. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1