PNP bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD652. Maksimal dissipation Ptot [W]: 62.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, 45V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD678. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, TO-126, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD677A. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja . Modstand B: ja . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. BE-modstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: komplementær transistor (par) BD679. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 14W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD679A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, TO-126, 100V, 4A, 100V, -100V, -4A. Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Collector-Emitter Spænding VCEO: -100V. Kollektorstrøm: -4A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: NF-L. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Type: Darlington transistor. Indbygget diode: ja . Effekt: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: komplementær transistor (par) BD681

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, TO-225, 100V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD682G. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, 120V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. bemærk: >750. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD810G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-202. Hus (i henhold til datablad): TO-202; SOT128B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD829. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Type transistor: PNP. bemærk: >750. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD901

NPN transistor, 15A, 45V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. CE-diode: ja

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-220AB. Omkostninger): TO-220AB. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD911. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-225, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 15A. Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD911

NPN transistor, 5A, 45V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDP950. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. tf (maks.): 2.5us. tf (min): 0.5us. Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 2.5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. bemærk: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: komplementær transistor (par) BDT65C. BE-diode: ja . CE-diode: ja

NPN transistor, 15A, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 130.42144

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 100V, 10A, TO-247 , 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDV64BG. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1000. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65B

NPN transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Funktion: hFE 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65C

NPN transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 100V, 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW47G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 85W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BDW83C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP