PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-202. Hus (i henhold til datablad): TO-202; SOT128B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Spec info: komplementær transistor (par) BD829. Type transistor: PNP

NPN transistor, 8A, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: komplementær transistor (par) BD901. Type transistor: PNP

NPN transistor, 15A, 45V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-220AB. Omkostninger): TO-220AB. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): +150°C. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Spec info: komplementær transistor (par) BD911. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD911. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 5A, 45V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDP950. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: ja . CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 20A. bemærk: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BDT65C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. tf (maks.): 2.5us. tf (min): 0.5us. Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, 15A, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: 130.42144. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-247 , 100V, 10A, TO-247 , 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDV64BG. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65B. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 12A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BDV65C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 100V, 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW47G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 4 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 85W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BDW83C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-93, SOT-93, 120V, 15A. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-93. Hus (JEDEC-standard): SOT-93. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW84D. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: hFE 750 (@3V, 6A). Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BDW83D. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 12A, TO-220, TO-220AB, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Darlington Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDW94C. Maksimal dissipation Ptot [W]: 80W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: komplementær transistor (par) BDW93C. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V

NPN transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: komplementær transistor (par) BDW93CF. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 33W. RoHS: ja . Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V

NPN transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Modstand B: 10k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 150 Ohms. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Max hFE-forstærkning: 750. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: komplementær transistor (par) BDX33C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 100V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDX34CG. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-220AB. Omkostninger): TO-220AB. CE-diode: ja . Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: lydforstærker. Produktionsdato: 2014/32. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. bemærk: komplementær transistor (par) BDX53C. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Komplementære Darlington-transistorer. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, TO-220, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. BE-modstand: R1 typ. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Komplementære Darlington-transistorer. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Spec info: komplementær transistor (par) BDX53F. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) BDX67C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 16A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 120V. Kollektorstrøm: 16A. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Funktion: hFE 1000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) BDX67C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Type transistor: PNP