PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 80V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 5 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 90V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6488

NPN transistor, TO-92, 0.5A, TO-92, 350V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 350V. Modstand B: Power transistor. BE-modstand: -350V. C (i): 100pF. Omkostninger): 6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 15. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 350V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2N6517. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: S-L, Low-sat. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2562

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Mærkning på kabinettet: A1013. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial siliciumtransistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2383. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 160V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: CTV-NF/VA. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 160. Mærkning på kabinettet: A1013-Y. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.6V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2383. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 2-5F1B, 50V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92, 2-5F1B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 4pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC1162. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.15A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 4pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: hFE.120-240. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Mærkning på kabinettet: 1015 Y. Antal terminaler: 3. Temperatur: +125°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+125°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC1815Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , RM-60, 120V, 12A. Hus: PCB-lodning . Hus: RM-60. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 120W

NPN transistor, 10A, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2581

NPN transistor, PCB-lodning , TO-3, 200V, 17A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 200V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 17A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. Producentens mærkning: silicium . Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 17A. driftstemperaturområde min (°C): PNP. driftstemperaturområde maks (°C): 200V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 35V, 5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 2SA1120. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 170 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 150V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 130. Ic (puls): 100mA. Mærkning på kabinettet: A1123. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial høvl type . Type transistor: PNP. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 60V/55V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/55V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 10A, SOT-199, SOT-199, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: SOT-199. Hus (i henhold til datablad): SOT-199. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 90 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 15A. Mærkning på kabinettet: A1141. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V

NPN transistor, 0.1A, 180V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.05A, 150V. Kollektorstrøm: 0.05A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 50mA, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 150V. Kollektorstrøm: 50mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. bemærk: 9mm. Mærkning på kabinettet: A1145 O. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. vcbo: 150V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2705. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: VCE(sat) 2V max. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 30. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2706

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 35V/30V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V/30V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Modstand B: 47. BE-modstand: 47. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: generelt formål. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , D6/C, 30V/20V, 30mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D6/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-236, 55V/50V, 150mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 55V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 150mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 0.05A, 80V. Kollektorstrøm: 0.05A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 150V, 50mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 150V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, 0.07A, TO-92, SANYO--MP, 160V. Kollektorstrøm: 0.07A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): SANYO--MP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Højspændingskobling. Ic (puls): 0.14A. bemærk: 9 mm højde. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Type transistor: PNP. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.14V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2910