PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 140mA, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 140mA. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Hurtig skiftehastighed. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Mærkning på kabinettet: A1209. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.1us. tf (min): 0.1us. Type transistor: PNP. vcbo: 180V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2911

NPN transistor, 2A, SOT-89, 2-5K1A, 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): 2-5K1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 40pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Mærkning på kabinettet: NY. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi / SMD-kode NY. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , D3/B, 30V/20V, 30mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D3/B. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO3P ), TO-3P, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO3P ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI, NF-E. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3182. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 35 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3263

NPN transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), MT-100, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): MT-100. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 35 MHz. Funktion: HI-FI lyd. Max hFE-forstærkning: 140. Minimum hFE-forstærkning: 50. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . tf (maks.): 1.5us. tf (min): 0.35us. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3263. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 17A, 230V. Kollektorstrøm: 17A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 35 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3264. Type transistor: PNP

NPN transistor, 12A, TO-247 , TO-247 , 160V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Pd (Strømafledning, maks.) ): 120W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3280

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264. Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HIFI-NF-E. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3281

NPN transistor, 14A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 14A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3284. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3298. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: Io-sat. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3299

NPN transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F (2-8A1H). Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 120. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3421Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 0.05A, 2-8H1A, 150V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 0.05A. Hus (i henhold til datablad): 2-8H1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Omkostninger): 2.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 80. Pd (Strømafledning, maks.) ): 5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 150V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3423. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 200V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. C (i): 1.7pF. Omkostninger): 2.6pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Funktion: video. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), MT-100(TO3P), 180V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO3P ). Hus (i henhold til datablad): MT-100(TO3P). Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Omkostninger): 500pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 40 MHz. Mærkning på kabinettet: A1386A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Vægt: 6g. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 180V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3519A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 60V/50V, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.4W

NPN transistor, 5A, 35V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 170 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 30V/25V, 300mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 180V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Mærkning på kabinettet: A1492. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3856

NPN transistor, 0.2A, TO-126F, TO-126F, 120V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 400 MHz. Funktion: Hi-def, Cre=2.2pF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC3953