PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 0.5A, 400V. Kollektorstrøm: 0.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/S. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.75W. Type transistor: PNP. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

NPN transistor, 2A, 400V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF-S. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 150V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: TV-NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC4381

NPN transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): FM20 (TO220F). Kollektor/emitterspænding Vceo: 200V. Omkostninger): 60pF. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Højspændings PNP-transistor til lyd- og generelle formål.. Minimum hFE-forstærkning: 60. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 200V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC4382. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 80V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: NF-L. Minimum hFE-forstærkning: 50. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC4466

NPN transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 36pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF, lo-sat. Max hFE-forstærkning: 270. Minimum hFE-forstærkning: 120. Ic (puls): 5A. Mærkning på kabinettet: AG*. Ækvivalenter: LG 0TRRH80034A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC4672. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): 2-10R1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 30pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 100. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 230V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC4793. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: TV, SL. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5171. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1A, 140V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): 2-16C1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Omkostninger): 320pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Mærkning på kabinettet: A1941. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5198. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Omkostninger): 360pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30MHz. Funktion: HI-FI effektforstærker. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 80. Mærkning på kabinettet: A1943 (O). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffused planar transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5200. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, -230V, -15A. Collector-Emitter Spænding VCEO: -230V. Kollektorstrøm: -15A. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Funktion: HI-FI effektforstærker

NPN transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 25 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 230V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Funktion: NF-HI-FI. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5242. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 15A, 230V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 230V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 30 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5359

NPN transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5707

NPN transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252AA ( DPAK ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: DC-DC konverter, TFT strømforsyning. Ic (puls): 11A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC5707

NPN transistor, 20A, TO-220FP, TO-220F-3SG, 50V. Kollektorstrøm: 20A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F-3SG. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 150. Ic (puls): 25A. Mærkning på kabinettet: A2210. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Vebo: 6V. Funktion: Relædrivere, lampedrivere, motordrivere. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC6082. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-1, 20V, 10mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.05W

NPN transistor, 0.4A, 40V. Kollektorstrøm: 0.4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-98, 35V/30V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-98. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V/30V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W

NPN transistor, 0.4A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: hFE 70...140. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. Spec info: 2SA562-O

NPN transistor, 0.4A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: hFE 120...240. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. Spec info: KTA562-Y

NPN transistor, PCB-lodning , TO-18, 60V/40V, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-18. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, 0.15A, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.15A. Hus: TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 4.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 160. Id(imp): 0.4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 30V/25V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 60V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.15W