Antal | ekskl. moms | moms inkl. |
---|---|---|
1 - 1 | 48.62kr | 60.78kr |
2 - 2 | 46.19kr | 57.74kr |
3 - 4 | 44.73kr | 55.91kr |
5 - 9 | 43.76kr | 54.70kr |
10 - 19 | 42.78kr | 53.48kr |
20 - 29 | 41.33kr | 51.66kr |
30+ | 39.87kr | 49.84kr |
Antal | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 48.62kr | 60.78kr |
2 - 2 | 46.19kr | 57.74kr |
3 - 4 | 44.73kr | 55.91kr |
5 - 9 | 43.76kr | 54.70kr |
10 - 19 | 42.78kr | 53.48kr |
20 - 29 | 41.33kr | 51.66kr |
30+ | 39.87kr | 49.84kr |
N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V - STP20NM60. N-kanal transistor, 12.6A, 20A, 10uA, 0.25 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 10uA. On-resistance Rds On: 0.25 Ohms. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Spænding Vds (maks.): 600V. C (i): 1500pF. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 390 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Lav portkapacitans. GS-beskyttelse: NINCS. Id(imp): 80A. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P20NM60. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 192W. RoHS: ja . Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 11 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: MDmesh Power MOSFET. Driftstemperatur: -55...+150°C. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Originalt produkt fra producenten Stmicroelectronics. Antal på lager opdateret den 15/06/2025, 17:25.
Information og teknisk hjælp
Betaling og levering
Levering inden for 2-3 dage, med postsporing!
Alle rettigheder forbeholdes, RPtronics, 2024.