Transistorer

Halvledermateriale: silicium . Funktion: FAST-SWITCH. Max hFE-forstærkning: 18. Minimum hFE-forstærkning: 5. Kollektorstrøm: 10A. Ic (puls): 16A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 58W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.6us. tf (min): 0.3us. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. vcbo: 1500V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 700V. Vebo: 7V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: ICM--16A (tp=5ms). Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: NPN-transistor . Polaritet: NPN. Mængde pr tilfælde: 2. Collector-Emitter Spænding VCEO: 50V. Kollektorstrøm: 0.8A. Effekt: 0.46W. Hus: TO-78

Omkostninger): 1.6pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halvledermateriale: silicium . FT: 64kHz. Funktion: FAST-SWITCH fh--64KHz (IC=6A). Produktionsdato: 2014/17. Max hFE-forstærkning: 8.5. Minimum hFE-forstærkning: 6. Kollektorstrøm: 14A. Ic (puls): 21A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.25us. tf (min): 0.12us. Hus (i henhold til datablad): ISOWATT218FX. Type transistor: NPN. vcbo: 700V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 1500V. Vebo: 9V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C (i): 1700pF. Omkostninger): 184pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 430 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 49W. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 76 ns. Td(on): 38 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Funktion: SMPS, højhastighedsskift. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1650pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 355 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 6.9A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 49.6W. On-resistance Rds On: 0.45 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 132 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 650V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Funktion: SMPS, højhastighedsskift. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 780pF. Omkostninger): 100pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 272 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Hurtig switch, lav portopladning 28nC, lav Crss 24pF. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 9A. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 38W. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 38 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: DMOS, QFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Driftstemperatur: +55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1160pF. Omkostninger): 134pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 360ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 1uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: MDF9N60. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 48W. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 48 ns. Td(on): 31 ns. Teknologi: Cool Mos POWER transistor. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220F. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Funktion: SMPS, højhastighedsskift. Spec info: Ultra Low Gate Charge. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Omkostninger): 2.5pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: kHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 20A. Ic (puls): 30A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 175W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 0.6us. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 650V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 450V. Vebo: 8V. Spec info: Q1 BE 100 Ohms, Q2 BE 15 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 4pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 25. Kollektorstrøm: 50A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Omkostninger): 7pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 75...1000. Kollektorstrøm: 60A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO–204AE ). Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ11015G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 30A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 200W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). bemærk: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11016

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 4pF. Omkostninger): TO-204AA. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 4 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Kollektorstrøm: 30A. Ic (puls): +200°C. bemærk: hFE 1000 (IC=20Adc, VCE=5Vdc). bemærk: 8k Ohms (R1), 40 Ohms (R2). Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -55...+200°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Type: Darlington transistor. Collector-Emitter Spænding VCEO: -60V. Kollektorstrøm: -50A. Effekt: 300W

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-forstærkning: 18000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Kollektorstrøm: 50A. Ic (puls): 100A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: NPN. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11033

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ11032G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

Omkostninger): 300pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 1000 (IC=25Adc, VCE=5Vdc, RBE=1K). Max hFE-forstærkning: 18000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Kollektorstrøm: 50A. Ic (puls): 100A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3 ( TO-204 ). Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ11032

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ11033G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ15003G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 140V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 20A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 2 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 250W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ15004

RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: 70. C (i): TO-3. Omkostninger): TO-204AA. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 2 MHz. Funktion: Power transistor. Max hFE-forstærkning: 150. Minimum hFE-forstærkning: 25. Kollektorstrøm: 20A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 250W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 140V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ15003. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Ic (puls): 20A

BE-modstand: 70. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.8 MHz. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. vcbo: 200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Spec info: Motorola. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

BE-modstand: 70. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.8 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 15A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 6us. tf (min): 4us. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ15016. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ15015G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 6 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 180W. Komponentfamilie: højspændings NPN transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C

Omkostninger): 360pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.8 MHz. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: PNP. vcbo: 200V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.8 MHz. Max hFE-forstærkning: 70. Minimum hFE-forstærkning: 10. Kollektorstrøm: 15A. Antal terminaler: 2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 180W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . tf (maks.): 6us. tf (min): 4us. Hus: TO-3 ( TO-204 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) MJ15015. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-3. Hus (JEDEC-standard): TO-204AA. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: MJ15016G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 15A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 18 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 180W. Komponentfamilie: højspændings PNP transistor. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +200°C