Transistorer

Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Minimum hFE-forstærkning: 750. Kollektorstrøm: 4A. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 14W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.8V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD679A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kollektorstrøm: 4A. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: NPN. Type: Darlington transistor. Indbygget diode: ja . Collector-Emitter Spænding VCEO: 100V. Effekt: 40W. Hus: TO-126. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-126. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD682. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington NPN Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD681G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: NF-L. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Type: Darlington transistor. Indbygget diode: ja . Collector-Emitter Spænding VCEO: -100V. Kollektorstrøm: -4A. Effekt: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: komplementær transistor (par) BD681

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD682G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. bemærk: >750. Mængde pr tilfælde: 1

Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 15W. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD809G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD810G. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Halvledermateriale: silicium . FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 1A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Hus: TO-202. Hus (i henhold til datablad): TO-202; SOT128B. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD829. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Minimum hFE-forstærkning: 750. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD902

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 8A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. bemærk: >750. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD901

Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. CE-diode: ja

Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 15A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. BE-modstand: 100V. C (i): 15A. Omkostninger): 90W. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-220AB. Omkostninger): TO-220AB. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Kollektorstrøm: 15A. Ic (puls): +150°C. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD911. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-225. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BD911. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Kollektorstrøm: 5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDP949. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 3W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDP950. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Kollektorstrøm: 12A. Ic (puls): 20A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. tf (maks.): 2.5us. tf (min): 0.5us. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Vebo: 2.5V. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 3. bemærk: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Spec info: komplementær transistor (par) BDT65C. BE-diode: ja . CE-diode: ja

Darlington-transistor?: 1. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Spec info: komplementær transistor (par) BDT64C. BE-diode: ja . CE-diode: ja

Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Kollektorstrøm: 15A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: 130.42144

RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDV64BG. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1000. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Vebo: 5V. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65B

Darlington-transistor?: ja . Halvledermateriale: silicium . Kollektorstrøm: 12A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-93. Type transistor: PNP. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Funktion: hFE 1000. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65C