PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 0.1A, 32V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 250. bemærk: serigrafi/SMD-kode C2. Mærkning på kabinettet: C2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Type transistor: PNP. vcbo: 32V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. bemærk: >120. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCW69R. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: T1. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, til AF og skiftende applikationer. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: DKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Spec info: komplementær transistor (par) BCX41. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 125V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: DKs. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Spec info: serigrafi/SMD-kode AA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, TO-243, 45V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AD. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, TO-243, 60V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AM. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: lydforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 1.5A. Mærkning på kabinettet: AH. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode AH. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: lydforstærkere. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 63. Ic (puls): 1.5A. bemærk: serigrafi/SMD-kode AK. Mærkning på kabinettet: AK. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCX56-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: PNP transistor. BE-modstand: PCB-lodning (SMD) . C (i): SOT-89. Omkostninger): TO-243. CE-diode: overflademonteret komponent (SMD) . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: lydforstærkere. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 1.5A. bemærk: serigrafi/SMD-kode AL. Mærkning på kabinettet: AL. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Spec info: komplementær transistor (par) BCX56-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, TO-243, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Hus (JEDEC-standard): TO-243. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AL. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 125 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, 32V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Funktion: NF/S. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.35W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD140. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Spec info: komplementær transistor (par) BD139. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 80V, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD140-16. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. Spec info: komplementær transistor (par) BD139-16. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V

NPN transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD139. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1.5A, 45V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. CE-diode: NINCS. Konditionering: plastrør. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Lyd, strømlineær og omskiftningsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) BD237. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, TO-225, 80V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD238G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD239C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD241C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD242CG. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD244C. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 15. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Spec info: komplementær transistor (par) BD243C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V