PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD243C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65°C...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) BD245C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) BD245C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-93. Hus (JEDEC-standard): SOT-93. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD250C. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 32V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD438. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Spec info: komplementær transistor (par) BD437. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD440. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD442. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Spec info: komplementær transistor (par) BD441. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Spec info: isoleret-hus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62.5W. RoHS: ja . Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD652. Maksimal dissipation Ptot [W]: 62.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, 45V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD678. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: komplementær transistor (par) BD677A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Vebo: 5V

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-diode: NINCS. BE-modstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: hFE 750. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: komplementær transistor (par) BD679. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 14W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD679A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD682. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: komplementær transistor (par) BD681. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, TO-225, 100V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD682G. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, 120V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD810G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C