PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Spec info: isoleret-hus. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62.5W. RoHS: ja . Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V

FT: 10 MHz

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD652. Maksimal dissipation Ptot [W]: 62.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 10A, 45V. Kollektorstrøm: 10A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 75W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD678. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD678. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD680. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 14W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD679A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN transistor, -100V, -4A, TO-126. Collector-Emitter Spænding VCEO: -100V. Kollektorstrøm: -4A. Hus: TO-126. Type transistor: Darlington Power Transistor. Polaritet: PNP. Type: Darlington transistor. Indbygget diode: ja . Effekt: 40W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, TO-225, 100V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . Komponentfamilie: Darlington PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD682G. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 4A, 120V. Kollektorstrøm: 4A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220, TO-220, 80V, 10A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220. Hus (JEDEC-standard): TO-220. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD810G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 1.5 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 90W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-202. Hus (i henhold til datablad): TO-202; SOT128B. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 75 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 8W. Spec info: komplementær transistor (par) BD829. Type transistor: PNP

NPN transistor, 8A, 100V. Kollektorstrøm: 8A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 1 MHz. Funktion: NF-L. bemærk: >750. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: komplementær transistor (par) BD901. Type transistor: PNP

NPN transistor, 15A, 45V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Power Lineær og Switching. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD911. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Modstand B: Effekt. BE-modstand: TO220. C (i): 90W. Omkostninger): -100V

NPN transistor, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-225. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BD911. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 5A, 45V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BDP950. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: ja . CE-diode: ja . Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 20A. bemærk: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BDT65C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Darlington transistor. tf (maks.): 2.5us. tf (min): 0.5us. Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 2.5V

NPN transistor, 15A, 100V. Kollektorstrøm: 15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: 130.42144. Type transistor: PNP

NPN transistor, TO-247 , TO-247 , 100V, 10A. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Kollektorstrøm: 10A. RoHS: ja . Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Spec info: komplementær transistor (par) BDV65B. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 20A. Antal terminaler: 3