PNP bipolære transistorer

NPN transistor, TO-126, 80V, 1.5A, -80V, -1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -1.5A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Producentens mærkning: BD140-16. Maksimal dissipation Ptot [W]: 12.5W. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 12.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 250. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD139-16

NPN transistor, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 1.5A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 12.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD139. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, 45V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 2A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja . Modstand B: ja . BE-modstand: PCB-lodning . C (i): TO-126. Omkostninger): SOT-32. Konditioneringsenhed: 50. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: Lyd, strømlineær og omskiftningsapplikationer. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD237. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-225, TO-225, 80V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-225. Hus (JEDEC-standard): TO-225. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD238G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, -80V, -2A, TO-126. Collector-Emitter Spænding VCEO: -80V. Kollektorstrøm: -2A. Hus: TO-126. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 25W

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 40. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 4A. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD239C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 25. Minimum hFE-forstærkning: 10. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 115V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD241C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD242CG. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Hus (JEDEC-standard): TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD244C. Maksimal dissipation Ptot [W]: 65W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 15. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD243C

NPN transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Hus: TO-220. Kollektorstrøm: 6A. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Modstand B: Power transistor. BE-modstand: -100V. C (i): -6A. Omkostninger): 65W. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Max hFE-forstærkning: 30. Minimum hFE-forstærkning: 15. Ic (puls): 10A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 65W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65°C...+150°C. vcbo: 100V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD243C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) BD245C. CE-diode: ja

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) BD245C. CE-diode: ja

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Kollektorstrøm: 25A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-218. Kollektor/emitterspænding Vceo: 115V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Hus: PCB-lodning . Hus: SOT-93. Hus (JEDEC-standard): SOT-93. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD250C. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 32V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD438. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Type transistor: PNP

NPN transistor, -45V, -4A, TO-126, 4A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-Emitter Spænding VCEO: -45V. Kollektorstrøm: -4A. Hus: TO-126. Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 36W. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 130. Minimum hFE-forstærkning: 30. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BD437

NPN transistor, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Collector-Emitter Spænding VCEO: -45V. Kollektorstrøm: -4A. Hus: TO-126 FULLPACK. Type transistor: Power transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 36W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD440. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Hus (JEDEC-standard): SOT-32. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. Kollektorstrøm: 4A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BD442. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 3 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 36W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Minimum hFE-forstærkning: 20. Ic (puls): 7A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.8V. Spec info: komplementær transistor (par) BD441

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 3 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 36W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: isoleret-hus. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Kollektorstrøm: 5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: NF-L. Minimum hFE-forstærkning: 40. Ic (puls): 8A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Funktion: NF-L. Max hFE-forstærkning: 1500. Minimum hFE-forstærkning: 750. Ic (puls): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 62.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)