PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 475. Minimum hFE-forstærkning: 220. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3F. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: SMD 3F. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 3G/4C. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 4C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. C (i): 10pF. Omkostninger): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. bemærk: komplementær transistor (par) BC850C. Mærkning på kabinettet: 4g. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 4G. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 0.25W. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -68...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 20V, 2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: CEC. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF/S. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 145 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP51/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCP54-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 15pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 145 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP52/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCP55-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCP53-10. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +155°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AH-10. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 25pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP 5316. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BCP56-16. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 100V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Modstand B: transistor til laveffektapplikationer. BE-modstand: SOT223. C (i): 1.5W

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AH. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCP56-10. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +155°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCP69/25. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 20V, 2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCP69. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 500mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Kollektorstrøm: 500mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 4.7k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 4.7k Ohms. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: PNP Silicon Digital Transistor. Minimum hFE-forstærkning: 50. Mærkning på kabinettet: XUs. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 50V, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: XHs. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 100mA, SOT-143, SOT-143, 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-143. Hus (i henhold til datablad): SOT-143. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. FT: 250 MHz. Funktion: PNP Silicon Dual Transistor. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Mærkning på kabinettet: 3Ls. Antal terminaler: 4. RoHS: ja . Spec info: serigrafi/SMD-kode 3Ls. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP & PNP. vcbo: 30 v

NPN transistor, 0.1A, 32V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 500. Minimum hFE-forstærkning: 250. bemærk: serigrafi/SMD-kode C2. Mærkning på kabinettet: C2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. Type transistor: PNP. vcbo: 32V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. bemærk: >120. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCW69R. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 45V, 500mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: T1. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 125V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23. Kollektor/emitterspænding Vceo: 125V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: PNP transistor, til AF og skiftende applikationer. Max hFE-forstærkning: 63. Minimum hFE-forstærkning: 25. Ic (puls): 1A. Mærkning på kabinettet: DKs. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Spec info: komplementær transistor (par) BCX41. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...150°C. vcbo: 125V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.9V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 125V, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 125V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: DKs. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.33W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: NF-TR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.3W. Spec info: serigrafi/SMD-kode AA. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP