PNP bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 30 v, 800mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 5G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.31W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 125. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 3A

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 65V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 65V. Omkostninger): 4.5pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 475. Minimum hFE-forstærkning: 220. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3B. Ækvivalenter: ON Semiconductor BC856BLT1G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.065V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 3B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 65V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SC-70, SOT-323, 65V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SC-70. Hus (JEDEC-standard): SOT-323. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 125. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3E. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: °C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3E

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 45V, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3F. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.33W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: SMD KO0 3F

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3F. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , TSSOP6, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: TSSOP6. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 6. Producentens mærkning: 3Ft. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: dobbelt PNP transistor

RoHS: ja . Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-323. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3F. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.2W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/CMS-kode 3G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3G. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 3L. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 475. Minimum hFE-forstærkning: 220. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3F. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F

NPN transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Ic (puls): 200mA. Mærkning på kabinettet: 3 G. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.25W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 3G/4C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-23, TO-236, 30 v, 100mA. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-23. Hus (JEDEC-standard): TO-236. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: 4C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.225W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-23 ( TO236 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. C (i): 10pF. Omkostninger): 4.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. bemærk: komplementær transistor (par) BC850C. Mærkning på kabinettet: 4g. Antal terminaler: 3. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Effekt: 0.25W. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -68...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.075V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V. Spec info: serigrafi/SMD-kode 4G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-89, 20V, 2A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-89. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: CEC. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 140 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.35W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Komponentfamilie: PNP transistor

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: NF/S. Max hFE-forstærkning: 2000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 145 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP51/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCP54-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-223 ( TO-226 ). Hus (i henhold til datablad): SOT-223. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Omkostninger): 15pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 145 MHz. Funktion: Lyd, telefoni og bilapplikationer. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: BCP52/16. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1.35W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) BCP55-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-264, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-264. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BCP53-10. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 2W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +155°C

NPN transistor, PCB-lodning (SMD) , SOT-223, TO-261, 80V, 1.5A. Hus: PCB-lodning (SMD) . Hus: SOT-223. Hus (JEDEC-standard): TO-261. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja . konfiguration: overflademonteret komponent (SMD) . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: AH-10. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 50 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C