PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): SC-67. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 50pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan type . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 95pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1804. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 20 ns. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V

NPN transistor, 5A, 25V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 320 MHz. Funktion: Strobe High-Current switching. bemærk: hFE 140...280. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Spec info: TO-251 (I-Pak). Type transistor: PNP

NPN transistor, 3A, 110V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. bemærk: =4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): ATV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: TU2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V

NPN transistor, 2A, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: hFE 180...390. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: 2SB1240R. Type transistor: PNP

NPN transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): ATV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Ic (puls): 4.5A. Mærkning på kabinettet: B1243 (RN). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan type . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1913. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 3A, 100V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: >2000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 6A, 120V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. bemærk: =10000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Max hFE-forstærkning: 10000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1933. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 9 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1913. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L. Max hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2390. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 160V

NPN transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: 1. Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic (puls): A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2390. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2394. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 12A, 150V. Kollektorstrøm: 12A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2401. Type transistor: PNP. vcbo: 160V

NPN transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2438. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2439. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 6A, 110V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. bemærk: >5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2495. Type transistor: PNP

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Funktion: HI-FI lydeffektforstærker og regulator. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2560. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): MT-25 (TO220). Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 100pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2589. Type transistor: PNP. vcbo: 110V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.15A, 25V. Kollektorstrøm: 0.15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: GE. bemærk: >30. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 35V, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W