PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 120V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lav støj, lydforstærker. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+125°C. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 120V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 180 MHz. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 3A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SC2275

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 60V/50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.25W

NPN transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 40V/32V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/32V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 120V, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 120V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 8W

NPN transistor, PCB-lodning , M10/J, 100V, 4A. Hus: PCB-lodning . Hus: M10/J. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 100V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 280. Minimum hFE-forstærkning: 140. bemærk: serigrafi/SMD-kode BF. Mærkning på kabinettet: BF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Funktion: High-Current Switching, lav mætning spænding. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1623S. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. bemærk: serigrafi/SMD-kode BF. Mærkning på kabinettet: BF. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Funktion: Medium POWER, solenoide, relæ- og aktuatordrivere & DC/DC-moduler. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1623T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT-89 (SC-62), 32V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89 (SC-62). Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Omkostninger): 20pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 180. Mærkning på kabinettet: BA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: SMD BA0. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 4A, TO-126F, TO-126ML, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-126F. Hus (i henhold til datablad): TO-126ML. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 39pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Ic (puls): 6A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.35V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 6V. Funktion: NF/SL. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1683. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 3A, TO-220FP, SC-67, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): SC-67. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 50pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Funktion: NF-E-L. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan type . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 50V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): TO-251 ( I-Pak ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Omkostninger): 95pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: High-Current switching, low-sat. Id(imp): 12A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Tf (type): 20 ns. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.4V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1804. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 5A, 25V. Kollektorstrøm: 5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 320 MHz. Funktion: Strobe High-Current switching. bemærk: hFE 140...280. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: PNP. Spec info: TO-251 (I-Pak)

NPN transistor, 3A, 110V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. bemærk: =4000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 1A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 32V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): ATV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 32V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: TU2. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 40V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V

NPN transistor, 2A, 40V. Kollektorstrøm: 2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: generelt formål. bemærk: hFE 180...390. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP. Spec info: 2SB1240R

NPN transistor, 3A, TO-251 ( I-Pak ), ATV, 50V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-251 ( I-Pak ). Hus (i henhold til datablad): ATV. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Max hFE-forstærkning: 390. Minimum hFE-forstærkning: 82. Ic (puls): 4.5A. Mærkning på kabinettet: B1243 (RN). Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Epitaksial plan type . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: Lavfrekvent effektforstærker. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1913

NPN transistor, 3A, 100V. Kollektorstrøm: 3A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . bemærk: >2000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 6A, 120V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Funktion: isoleret pakke transistor. bemærk: =10000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 12 MHz. Max hFE-forstærkning: 10000. Minimum hFE-forstærkning: 1000. Ic (puls): 6A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1933

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 9 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1913

NPN transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-264 ( TOP-3L ). Hus (i henhold til datablad): TOP-3L. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 20 MHz. Funktion: Optimal til 120W Hi-Fi-output. Max hFE-forstærkning: 20000. Minimum hFE-forstærkning: 3500. Ic (puls): 15A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Triple diffusion planar type darlington . tf (maks.): 1.2us. tf (min): 1.2us. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS