PNP bipolære transistorer

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 35V, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, PCB-lodning , D17/C, 60V/50V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: D17/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.9W

NPN transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD882. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1047. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 10. BE-modstand: 47. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1133. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 70V

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Modstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 47. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: PNP transistor. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1138. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V

NPN transistor, PCB-lodning , D17/C, 80V/50V, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: D17/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Darlington Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.9W

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1207. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 45V/40V, 300mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V/40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A743. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 8W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: erstatte

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Kollektorstrøm: 20mA. Hus: SOT-39. Hus (i henhold til datablad): SOT-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 13V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: GE. FT: 1250 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 32V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 32V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: B891F. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Modstand B: NINCS. BE-diode: NINCS. BE-modstand: PCB-lodning . C (i): 180pF. Omkostninger): 30pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: 1A. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): +175°C. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC141. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EPITAXIAL TRANSISTORS. tf (maks.): 650 ns. tf (min): 500 ns. Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+200°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 120. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 460. Minimum hFE-forstærkning: 180. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+200°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC212BG. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, 20V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-18, 25V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-18. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.65 MHz. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. vcbo: 85V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Vebo: 7V