PNP bipolære transistorer

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: erstatte

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1

NPN transistor, 20mA, SOT-39, SOT-39, 13V. Kollektorstrøm: 20mA. Hus: SOT-39. Hus (i henhold til datablad): SOT-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 13V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: GE. FT: 1250 MHz. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.1W. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 20V. Vebo: 0.3V

NPN transistor, TO39, -60V. Hus: TO39. Collector-Emitter Spænding VCEO: -60V. Type: transistor til laveffektapplikationer. Polaritet: PNP. Effekt: 0.65W. Collector-basis spænding VCBO: -60V. Monteringstype: Gennemgående hulmontering af printkort . Båndbredde MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 30. Nuværende Max 1: -1A. Serie: BC

NPN transistor, 0.1A, 45V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 120. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-18 ( TO-206 ). Hus (i henhold til datablad): TO-18. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 4pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 460. Minimum hFE-forstærkning: 180. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -60...+200°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.2V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 280 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 200. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 350mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 50V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC212BG. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.35W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.2A, 45V. Kollektorstrøm: 0.2A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. CE-diode: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 200 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.1A, 20V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-18, 25V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-18. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 1W

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 60V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.65 MHz. Max hFE-forstærkning: 120. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. vcbo: 85V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 45V. Kollektorstrøm: 0.5A. Hus: TO-39 ( TO-205 ). Hus (i henhold til datablad): TO-39. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 0.65 MHz. Max hFE-forstærkning: 240. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.85W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: EXPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR. Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Vebo: 7V

NPN transistor, 0.1A, 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 130 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.3W. Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC337-16. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 45V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: C32716. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC337-25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: hFE 160-400. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC337-25. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC327-25. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 45V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC327-25. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 260 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC327-25. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 45V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC327-40. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 50V. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 12pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: hFE 250-600. Max hFE-forstærkning: 630. Minimum hFE-forstærkning: 250. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC337-40. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.8A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorstrøm: 0.8A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 400. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 1A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.7V. Vebo: 5V