PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L. Max hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2390

NPN transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN ( MT-100 ), 150V. Kollektorstrøm: 10A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN ( MT-100 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: 1. Mængde pr tilfælde: 2. Halvledermateriale: silicium . FT: 55 MHz. Funktion: hFE 5000. Ic (puls): A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 160V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2390. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 80V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220F. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2394

NPN transistor, 12A, 150V. Kollektorstrøm: 12A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: NF/L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. Type transistor: PNP. vcbo: 160V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2401

NPN transistor, 8A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 8A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 65 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2438

NPN transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kollektorstrøm: 10A. Hus (i henhold til datablad): TO-3PF. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Hus: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 50 MHz. Funktion: hFE 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2439

NPN transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( SOT-93 ), 110V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P ( SOT-93 ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. Funktion: NF-L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 60W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 6A, 110V. Kollektorstrøm: 6A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 60 MHz. bemærk: >5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Type transistor: PNP. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2495

NPN transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Kollektorstrøm: 15A. Hus: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Hus (i henhold til datablad): TO-3P. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 45 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Funktion: HI-FI lydeffektforstærker og regulator. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2560

NPN transistor, 6A, TO-220, MT-25 (TO220), 110V. Kollektorstrøm: 6A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): MT-25 (TO220). Kollektor/emitterspænding Vceo: 110V. Omkostninger): 100pF. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Minimum hFE-forstærkning: 5000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 50W. Type transistor: PNP. vcbo: 110V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD2589. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, PCB-lodning , TO-1, 30 v, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-1. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.125W

NPN transistor, 0.15A, 25V. Kollektorstrøm: 0.15A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: GE. bemærk: >30. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.2W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 35V, 1.5A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W

NPN transistor, 1.5A, 35V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 50V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W

NPN transistor, PCB-lodning , M17/J, 90V/80V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: M17/J. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 90V/80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W

NPN transistor, PCB-lodning , M17/J, 40V/20V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: M17/J. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 40V/20V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 20V/15V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V/15V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, PCB-lodning , D17/C, 25V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: D17/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.9W

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 25V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD468

NPN transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SC-71. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 30V/25V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: B647. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD667. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN transistor, 1.5A, TO-126, 160V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Kollektorstrøm: 1.5A. Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Omkostninger): 27pF. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 180V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD669A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS