PNP bipolære transistorer

NPN transistor, 1.5A, 35V. Kollektorstrøm: 1.5A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 35V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 8 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 50V, 2A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 2A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 20W

NPN transistor, PCB-lodning , M17/J, 90V/80V, 800mA. Hus: PCB-lodning . Hus: M17/J. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 90V/80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 10W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 20V/15V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 20V/15V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, PCB-lodning , D17/C, 25V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: D17/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.9W

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 20V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 350 MHz. Funktion: hFE 120...240. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD468. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 25V

NPN transistor, 0.1A, SC-71, 60V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SC-71. Kollektor/emitterspænding Vceo: 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Funktion: generelt formål. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 30V/25V, 500mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30V/25V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.6W

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 2A. Mærkning på kabinettet: B647. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SD667. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, SOT-89, SOT-89, 80V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: SOT-89. Hus (i henhold til datablad): SOT-89. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Funktion: generelt formål. Max hFE-forstærkning: 320. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 2A. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.9W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. Mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 160V. Kollektorstrøm: 1.5A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 27pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 140 MHz. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) 2SD669A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 180V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 1V. Vebo: 5V

NPN transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Kollektorstrøm: 8A. Hus: TO-3PN ( 2-16C1B ). Hus (i henhold til datablad): TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 120V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 10 MHz. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 55. Mærkning på kabinettet: B668. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD718. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 120V. Mætningsspænding VCE (sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, 7A, 170V. Kollektorstrøm: 7A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 170V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 7 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. Type transistor: PNP

NPN transistor, PCB-lodning , TO-220AB, 80V/60V, 7A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V/60V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 40W

NPN transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), MINI MOLD, 25V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: SOT-23 ( TO-236 ). Hus (i henhold til datablad): MINI MOLD. Kollektor/emitterspænding Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.7pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Max hFE-forstærkning: 460. Minimum hFE-forstærkning: 160. Ic (puls): 0.2A. Mærkning på kabinettet: AQ. RoHS: NINCS. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD601. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Type transistor: PNP. vcbo: 25V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , D8/C, 35V, 50mA. Hus: PCB-lodning . Hus: D8/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 35V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.3W

NPN transistor, PCB-lodning , D17/C, 60V/50V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: D17/C. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 60V/50V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.9W

NPN transistor, 3A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Kollektorstrøm: 3A. Hus: TO-126 (TO-225, SOT-32). Hus (i henhold til datablad): TO-126. Kollektor/emitterspænding Vceo: 40V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 80 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 10W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD882. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 12A, TO-3PN, 160V. Kollektorstrøm: 12A. Hus: TO-3PN. Kollektor/emitterspænding Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1047. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Kollektorstrøm: 4A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Modstand B: 10. BE-modstand: 47. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 15 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1133. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 70V

NPN transistor, 2A, TO-220, TO-220AB, 150V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Kollektor/emitterspænding Vceo: 150V. Modstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-modstand: 47. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: PNP transistor. Max hFE-forstærkning: 200. Minimum hFE-forstærkning: 60. Ic (puls): 5A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1138. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 200V. Mætningsspænding VCE (sat): 3V

NPN transistor, 2A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 50V. Kollektorstrøm: 2A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92M ( 9mm ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 560. Minimum hFE-forstærkning: 100. Ic (puls): 4A. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 1W. Spec info: komplementær transistor (par) 2SD1207. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 60V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.15V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, 45V/40V, 300mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V/40V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP bipolar transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W

NPN transistor, PCB-lodning , TO-126, 80V, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-126. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 80V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP Power Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: A743. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 120 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 8W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor. Mængde pr tilfælde: 1