PNP bipolære transistorer

NPN transistor, TO-92, 20V, 1A, TO-92. Hus: TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 20V. Kollektorstrøm: 1A. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort

NPN transistor, -20V, -1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -20V. Kollektorstrøm: -1A. Hus: TO-92. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.625W

NPN transistor, 0.1A, 180V. Kollektorstrøm: 0.1A. Kollektor/emitterspænding Vceo: 180V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 120 MHz. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.4W. Spec info: TO18. Type transistor: PNP

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 300 MHz. Funktion: hFE 420...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300mW. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN transistor, 0.4A, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 0.4A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . Funktion: hFE 3000. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Spec info: komplementær transistor (par) BC517. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. vcbo: 40V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 30 v, 1A. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP Darlington Transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC517. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 65V, 100mA, TO-92, 80V. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC556B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: komplementær transistor (par) BC546B. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -...+150°C. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 65V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 65V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC556B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 280 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, -65V, -0.1A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -65V. Kollektorstrøm: -0.1A. Hus: TO-92. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.5W

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 80V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 80V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC546C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. vcbo: 80V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo-Pak ), 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo-Pak ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 6pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Max hFE-forstærkning: 220. Minimum hFE-forstærkning: 110. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC547A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, -50V, -0.2A, TO-92. Collector-Emitter Spænding VCEO: -50V. Kollektorstrøm: -0.2A. Hus: TO-92. Type transistor: PNP transistor. Polaritet: PNP. Effekt: 0.5W

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. C (i): 10pF. Omkostninger): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 420. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: komplementær transistor (par) BC547C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.65V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557B. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 150 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 45V, 100mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 45V. Samlerstrøm Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja . Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: BC557C. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 320 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.625W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 30 v. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: Switching, og AF-forstærker. Max hFE-forstærkning: 450. Minimum hFE-forstærkning: 200. Ic (puls): 200mA. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -65...+150°C. vcbo: 30 v. Mætningsspænding VCE (sat): 0.08V. Vebo: 5V

NPN transistor, PCB-lodning , TO-92, TO-226AA, 30 v, 200mA. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-92. Hus (JEDEC-standard): TO-226AA. Samler-emitter spænding Uceo [V]: 30 v. Samlerstrøm Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Komponentfamilie: PNP transistor. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: C559A. Afskæringsfrekvens ft [MHz]: 100 MHz. Maksimal dissipation Ptot [W]: 0.5W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Kollektor/emitterspænding Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: generelt formål. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Epitaksial plan transistor . Type transistor: PNP

NPN transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Kollektorstrøm: 0.1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 50V. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 150 MHz. Funktion: hFE 200...450. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.5W. Spec info: komplementær transistor (par) BC550B. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP

NPN transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 100mA. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Omkostninger): 2.5pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 380. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC550C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.25V. Vebo: 5V

NPN transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Hus: TO-92. Kollektorstrøm: 100mA. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. RoHS: ja . Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 250 MHz. Funktion: hFE 380...800, (IC=2.0mAdc, VCE=5.0Vdc). Max hFE-forstærkning: 800. Minimum hFE-forstærkning: 100. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.625W. Spec info: komplementær transistor (par) BC550C. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 50V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Kollektorstrøm: 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92. Kollektor/emitterspænding Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. C (i): 110pF. Omkostninger): 9pF. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 70 MHz. Produktionsdato: 1997.04. Max hFE-forstærkning: 250. Minimum hFE-forstærkning: 40. Antal terminaler: 3. Pd (Strømafledning, maks.) ): 800mW. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: Planær epitaksial transistor . Type transistor: PNP. Driftstemperatur: -55...+150°C. vcbo: 45V. Mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN transistor, TO-92, TO-92 (Ammo), 100V, 1A. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92 (Ammo). Kollektor/emitterspænding Vceo: 100V. Kollektorstrøm: 1A. RoHS: ja . Spec info: komplementær transistor (par) BC639. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Type transistor: PNP. Maksimal mætningsspænding VCE (sat): 0.5V. Vebo: 5V. vcbo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Mængde pr tilfælde: 1. Halvledermateriale: silicium . FT: 100 MHz. Funktion: PNP/100V/1A BIPOLAR TRANSISTOR. Max hFE-forstærkning: 160. Minimum hFE-forstærkning: 40. Pd (Strømafledning, maks.) ): 0.8W