Transistorer

C (i): 1180pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 110us. Diode tærskelspænding: 1.3V. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 140A. ID (T=100°C): 25A. ID (T=25°C): 35A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 115W. On-resistance Rds On: 0.038 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 100V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 690pF. Omkostninger): 170pF. Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID (T=100°C): 21A. ID (T=25°C): 30A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P36NF06. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. On-resistance Rds On: 0.032 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 27 ns. Td(on): 10 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 72A. ID (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 18A. Idss (maks.): 18A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 0.032 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 60V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: trr 65ns, effektiv dv/dt

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P36NF06L. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 15A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 2.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 10 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 19 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 660pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 70W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Hus (JEDEC-standard): 60.4k Ohms

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 1.8A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (maks.): 2.9A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. On-resistance Rds On: 4 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: V-MOS. Hus: TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V

C (i): 400pF. Omkostninger): 57pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 13.2A. ID (T=100°C): 2.1A. ID (T=25°C): 3.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P3NB60. Pd (Strømafledning, maks.) ): 80W. On-resistance Rds On: 3.3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 11 ns. Td(on): 11 ns. Teknologi: PowerMESH™ MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 440pF. Omkostninger): 60pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. Id(imp): 10.4A. ID (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2.6A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 90W. On-resistance Rds On: 4.6 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 15 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: PowerMESH™ MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (maks.): 3.5A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PowerMESH III. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 900V

Kanaltype: N. Hus: TO-220FP. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Max drænstrøm: 2.4A. On-resistance Rds On: 3.6 Ohms. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (maks.): 2.4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 20W. On-resistance Rds On: 3.3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. Drain-source spænding (Vds): 600V

C (i): 485pF. Omkostninger): 57pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: meget højt dv/dt-forhold til skift af applikationer. Id(imp): 10A. ID (T=100°C): 1.57A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P3NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. On-resistance Rds On: 3.8 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 36ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 590pF. Omkostninger): 63pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 12A. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 3.6 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55°C til +150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Port/kildespænding (fra) max.: 4.5V. Port/kildespænding (fra) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 700pF. Omkostninger): 95pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 100W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Td(fra): 12 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: PowerMESH MOSFET. Spænding Vds (maks.): 800V. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 700pF. Omkostninger): 95pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 600 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Antal terminaler: 3. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 35W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 12 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: PowerMESH MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P4NK50Z. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.7 Ohms @ 1.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 10 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 21 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 310pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 45W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 4A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 70W. On-resistance Rds On: 1.76 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SuperMESH. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor

Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 4A. Idss (maks.): 4A. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SuperMESH. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 600V. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 1.89A. ID (T=25°C): 3A. Idss (maks.): 3A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 3 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: SuperMESH. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 800V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor

C (i): 3050pF. Omkostninger): 380pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P55NE06. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 130W. On-resistance Rds On: 0.019 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(on): 30 ns. Teknologi: effekt MOSFET transistor. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1300pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 75 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 200A. ID (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 50A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P55NF06. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 36ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1700pF. Omkostninger): 300pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 220A. ID (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P55NF06L. Pd (Strømafledning, maks.) ): 95W. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40ms. Td(on): 20ms. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) maks.: 1.7V. Vgs (th) min.: 1V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P5NK100Z. Drain-source spænding Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.5A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 23 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 52 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1154pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 690pF. Omkostninger): 90pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 485 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P5NK60ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 25W. On-resistance Rds On: 1.2 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 36ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+ °C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: -55°C...+150°C. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ja

C (i): 910pF. Omkostninger): 98pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P5NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 1.9 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

Kanaltype: N. On-resistance Rds On: 1.9 Ohms. Id(imp): 17.2A. ID (T=100°C): 2.7A. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P5NK80ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 18 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Max drænstrøm: 4.3A. Effekt: 110W. Hus: TO-220FP (TO-220-F) FULLPAK HV. Drain-source spænding (Vds): 800V. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. GS-beskyttelse: ja

C (i): 1810pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 73ms. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +175°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 0.014 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 16 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET, Ultra Low ON-Resistance. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -65...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Omkostninger): 360pF. Spec info: Enestående dv/dt-kapacitet. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS