Transistorer

C (i): 1110pF. Omkostninger): 135pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P9NK60ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 2115pF. Omkostninger): 190pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 950 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. Id(imp): 32A. ID (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 8A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P9NK90Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 22 ns. Teknologi: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

C (i): 94pF. Omkostninger): 17.6pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 135 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.2A. ID (T=100°C): 0.189A. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 1NK60ZR. Pd (Strømafledning, maks.) ): 3W. On-resistance Rds On: 13 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 13 ns. Td(on): 5.5 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Hus: TO-92. Hus (i henhold til datablad): TO-92Ammopak. Driftstemperatur: -50...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Port/emitterspænding VGE(th) min.: 3V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, ESD forbedret kapacitet. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

Funktion: STripFET™ Power MOSFET. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 30V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2

Kanaltype: N. Funktion: 2xN-CH 60V. Antal terminaler: 8:1. Pd (Strømafledning, maks.) ): 2.5W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: STripFET™ Power MOSFET. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2

Funktion: STripFET™ II Power MOSFET. Antal terminaler: 8:1. Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: 2xN-CH 20V. Hus: SO. Hus (i henhold til datablad): SO-8. Mængde pr tilfælde: 2

Kanaltype: N-P. Funktion: N&P PowerTrench MOSFET. Pd (Strømafledning, maks.) ): 11W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: Dual E nhancement Mode Felteffekttransistor. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Driftstemperatur: -55...+175°C. Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 4. bemærk: Dual E nhancement Mode Felteffekttransistor

Kanaltype: N-P. Pd (Strømafledning, maks.) ): 11W. RoHS: ja . Montering / installation: overflademonteret komponent (SMD) . Teknologi: N&P PowerTrench MOSFET. Hus: D-PAK ( TO-252 ). Hus (i henhold til datablad): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Mængde pr tilfælde: 2. Antal terminaler: 4

C (i): 1370pF. Omkostninger): 156pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W10NK60Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 156W. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: SuperMESH ™Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

C (i): 2180pF. Omkostninger): 205pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 645 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W10NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. On-resistance Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 65 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: SuperMESH ™Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: W10NK80Z. Drain-source spænding Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 9A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.09 Ohms @ 4.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 30 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 65 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2180pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 160W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 3500pF. Omkostninger): 270pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 560 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: ekstrem høj dv/dt-kapacitet, skift af applikationer. Id(imp): 33.2A. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W11NK100Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. On-resistance Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 98 ns. Td(on): 27 ns. Teknologi: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 1000V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: W11NK100Z. Drain-source spænding Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 8.3A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.38 Ohms @ 4.15A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 27 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 98 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 3500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 230W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 3000pF. Omkostninger): 240pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 584 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: ZenerProtect. Id(imp): 36.8A. ID (T=100°C): 5.8A. ID (T=25°C): 9.2A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W11NK90Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 200W. On-resistance Rds On: 0.82 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 76 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: SuperMesh PpwerMOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. GS-beskyttelse: ja

C (i): 2620pF. Omkostninger): 250pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 635 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forbedret ESD-kapacitet. Id(imp): 42A. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W12NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.65 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 30 ns. Teknologi: SuperMESH™ power MOSFET transistor beskyttet af zenerdiode. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 3500pF. Omkostninger): 280pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 964ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Forbedret ESD-kapacitet. Id(imp): 44A. ID (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 11A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W12NK90Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 230W. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 88 ns. Td(on): 31 ns. Teknologi: SuperMESH™ power MOSFET transistor beskyttet af zenerdiode. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

Kanaltype: N. Hus: TO-247 . Trr-diode (min.): 570 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. ID (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (maks.): 50mA. IDss (min): 1mA. Mærkning på kabinettet: W13NK60Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 160W. On-resistance Rds On: 0.48 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 61 ns. Td(on): 22 ns. Teknologi: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Max drænstrøm: 13A. Effekt: 150W. On-resistance Rds On: 0.55 Ohms. Antal terminaler: 3. Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . Drain-source spænding (Vds): 600V. GS-beskyttelse: ja

C (i): 2000pF. Omkostninger): 238pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 470 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 48A. ID (T=100°C): 7.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (maks.): 50mA. IDss (min): 1mA. Mærkning på kabinettet: W14NK50Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 150W. On-resistance Rds On: 0.34 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 54 ns. Td(on): 24 ns. Teknologi: Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . GS-beskyttelse: ja

Type transistor: MOSFET effekttransistor. Kanaltype: N. Max drænstrøm: 15A. On-resistance Rds On: 0.55 Ohms. Effekt: 350W. Hus: TO-247 . Drain-source spænding (Vds): 900V

C (i): 1630pF. Omkostninger): 750pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (maks.): 100nA. IDss (min): 10nA. Mærkning på kabinettet: 18NM80. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 30. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: W20NK50Z. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 17A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 28 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 70 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2600pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 190W. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.23 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 28 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C. Hus (JEDEC-standard): 30

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-247 . konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: W20NM50FD. Drain-source spænding Uds [V]: 500V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ 10A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 22 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 30 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1380pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 214W. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

C (i): 1450pF. Omkostninger): 350pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 510 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: W20NM60. Pd (Strømafledning, maks.) ): 214W. On-resistance Rds On: 0.26 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 6 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -65...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1800pF. Omkostninger): 115pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: skifte kredsløb. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 26NM60N. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 0.135 Ohms. RoHS: ja . Vægt: 4.51g. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 13 ns. Td(on): 85 ns. Teknologi: MDmesh PpwerMOSFET. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Konditioneringsenhed: 30. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 1440pF. Omkostninger): 60pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 384 ns. Funktion: skifte kredsløb. Id(imp): 80A. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (maks.): 100uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 28N65M2. Pd (Strømafledning, maks.) ): 170W. On-resistance Rds On: 0.15 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 59 ns. Td(on): 13.4 ns. Teknologi: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Hus: TO-247 . Hus (i henhold til datablad): TO-247 . Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 650V. Gate / kilde spænding Vgs: 25V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja