Transistorer

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P60NF06L. Drain-source spænding Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 35 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 55 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 2000pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 150W. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 55 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 15V. Vgs (th) maks.: 2.5V. Vgs (th) min.: 1V. driftstemperaturområde min (°C): -65°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C. Hus (JEDEC-standard): 1. Spec info: lav portladning, VGS(th) 1...2,5V

C (i): 1330pF. Omkostninger): 420pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 45 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: fuldt beskyttet. Id(imp): 248A. ID (T=100°C): 37.5A. ID (T=25°C): 62A. Idss: 0.01mA. Idss (maks.): 62A. Mærkning på kabinettet: P62NS04Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 12.5m Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 41 ns. Td(on): 13 ns. Teknologi: MESH OVERLAY™ Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 33V. Gate / kilde spænding Vgs: 10V. Port/kildespænding (fra) min.: 2V. Vgs (th) maks.: 4 v. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 1700pF. Omkostninger): 400pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 70us. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 240A. ID (T=100°C): 42A. ID (T=25°C): 60A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P65NF06. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 0.0115 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 40 ns. Td(on): 15 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 60V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 905pF. Omkostninger): 115pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P6NK60Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 104W. On-resistance Rds On: 1 Ohm. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 47 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 905pF. Omkostninger): 115pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 445 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P6NK60ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 32W. On-resistance Rds On: 1 Ohm. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 47 ns. Td(on): 14 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3.5V. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 1350pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P6NK90Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 140W. On-resistance Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 1350pF. Omkostninger): 130pF. Kanaltype: N. Mængde pr tilfælde: 1. Trr-diode (min.): 840 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. ID (T=100°C): 3.65A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P6NK90ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 900V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 3700pF. Omkostninger): 730pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 132 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: DC Motor Control, DC-DC & DC-AC Converters. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P75NF75. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.0095 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 66 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 75V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Drain Current (pulsed) IDM--320Ap. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. ID (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (maks.): 6.5A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PowerMesh. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 800V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 1138pF. Omkostninger): 122pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 530 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P7NK80Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: SuperMESH™ Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Mængde pr tilfælde: 1. Spec info: Zener-Protected. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P7NK80Z. Drain-source spænding Uds [V]: 800V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5.2A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.8 Ohms @ 2.6A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 20 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 45 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1138pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C

Kanaltype: N. Hus: TO-220FP. Type transistor: MOSFET. Funktion: EKSTREMT HØJ Dv/dt-KAPABILITET . Id(imp): 20.8A. ID (T=100°C): 3.3A. ID (T=25°C): 5.2A. Idss: 1uA. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P7NK80ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 1.5 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 20 ns. Teknologi: SuperMESH. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Vgs (th) min.: 3.75V. Type transistor: MOSFET effekttransistor. Max drænstrøm: 5.2A. On-resistance Rds On: 1.8 Ohms. Antal terminaler: 3. Spec info: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Drain-source spænding (Vds): 800V. GS-beskyttelse: ja

C (i): 3850pF. Omkostninger): 800pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: SWITCHING APPLICATION. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P80NF06. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -65...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: NINCS

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P80NF10. Drain-source spænding Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 80A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.012 Ohms @ 40A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4 v. Indkoblingstid ton [nsec.]: 26 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 116 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 5500pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 300W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +175°C

C (i): 4300pF. Omkostninger): 600pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P80NF12. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.013 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 134 ns. Td(on): 40 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 120V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 3850pF. Omkostninger): 800pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.0065 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 70 ns. Td(on): 25 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Funktion: motorstyring, lydforstærker. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2550pF. Omkostninger): 550pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Højhastighedsskift. Id(imp): 392A. ID (T=100°C): 68A. ID (T=25°C): 98A. Idss (maks.): 10uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: 80NF70. Pd (Strømafledning, maks.) ): 190W. On-resistance Rds On: 0.0098 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 90 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: STripFET II POWER MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 68V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) maks.: 4 v. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 5500pF. Omkostninger): 1130pF. Kanaltype: P. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 110 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 320A. ID (T=100°C): 57A. ID (T=25°C): 80A. Idss (maks.): 80A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 300W. On-resistance Rds On: 0.016 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 165 ns. Td(on): 35 ns. Teknologi: STripFETTM II Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AB. Driftstemperatur: -55...+175°C. Spænding Vds (maks.): 55V. Gate / kilde spænding Vgs: 16V. Vgs (th) min.: 2V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: NINCS

C (i): 2350pF. Omkostninger): 180pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 680 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: Zener-Protected. Id(imp): 27A. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Temperatur: +150°C. Pd (Strømafledning, maks.) ): 40W. On-resistance Rds On: 0.9 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(on): 30 ns. Teknologi: PowerMESH™III MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Spænding Vds (maks.): 700V. Gate / kilde spænding Vgs: 20V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Konditioneringsenhed: 50. GS-beskyttelse: ja

C (i): 1320pF. Omkostninger): 143pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 460 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24.8A. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P8NK80ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 1.3 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 48 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: SuperMESH™Power MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 800V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Funktion: Zener-beskyttet, Power MOSFET transistor. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

Kanaltype: N. Type transistor: MOSFET. Funktion: N MOSFET transistor. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 9A. Idss (maks.): 9A. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 0.8 Ohms. Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Teknologi: PowerMesh. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Spænding Vds (maks.): 600V. Mængde pr tilfælde: 1

C (i): 910pF. Omkostninger): 125pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P9NK50Z. Pd (Strømafledning, maks.) ): 110W. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220AC. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. Afløbskildebeskyttelse: ja . GS-beskyttelse: ja

C (i): 910pF. Omkostninger): 125pF. Kanaltype: N. Afløbskildebeskyttelse: Zener diode. Trr-diode (min.): 238 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28.8A. ID (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 7.2A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1uA. Mærkning på kabinettet: P9NK50ZFP. Pd (Strømafledning, maks.) ): 30W. On-resistance Rds On: 0.72 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 45 ns. Td(on): 17 ns. Teknologi: Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET. Hus: TO-220FP. Hus (i henhold til datablad): TO-220FP. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 500V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Antal terminaler: 3. Mængde pr tilfælde: 1. GS-beskyttelse: ja

C (i): 1110pF. Omkostninger): 135pF. Kanaltype: N. Trr-diode (min.): 480 ns. Type transistor: MOSFET. Funktion: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 28A. ID (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 7A. Idss (maks.): 50uA. IDss (min): 1us. Pd (Strømafledning, maks.) ): 125W. On-resistance Rds On: 0.85 Ohms. RoHS: ja . Montering / installation: Gennemgående hulmontering af printkort . Td(fra): 43 ns. Td(on): 19 ns. Teknologi: Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET. Hus: TO-220. Hus (i henhold til datablad): TO-220. Driftstemperatur: -55...+150°C. Spænding Vds (maks.): 600V. Gate / kilde spænding Vgs: 30 v. Vgs (th) maks.: 4.5V. Vgs (th) min.: 3V. Mængde pr tilfælde: 1

RoHS: ja . Komponentfamilie: MOSFET, N-MOS. Hus: PCB-lodning . Hus: TO-220AB. konfiguration: Gennemgående hulmontering af printkort . Antal terminaler: 3. Producentens mærkning: P9NK60Z. Drain-source spænding Uds [V]: 600V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7A. Dræn strøm gennem modstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.95 Ohms @ 3.5A. Portnedbrudsspænding Ugs [V]: 4.5V. Indkoblingstid ton [nsec.]: 19 ns. Slukningsforsinkelse tf[nsec.]: 43 ns. Ciss Gate Kapacitans [pF]: 1100pF. Maksimal dissipation Ptot [W]: 125W. driftstemperaturområde min (°C): -55°C. driftstemperaturområde maks (°C): +150°C